金融界2025年7月30日消息，国家知识产权局信息显示，沈阳仪表科学研究院有限公司申请一项名为“低应力高温压力传感器芯片及加工方法”的专利，公开号CN120385444A，申请日期为2025年06月压力仪表。
专利摘要显示，本申请涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种低应力高温压力传感器芯片及加工方法，低应力高温压力传感器芯片包括碳化硅外延片、钝化层、金属电极层和碳化硅封接晶圆；碳化硅外延片中的n型碳化硅器件层、p型碳化硅隔离层和n型碳化硅衬底层由上到下依次连接；n型碳化硅器件层经刻蚀形成n型碳化硅压力敏感电阻、封接区和隔离通道；钝化层包括二氧化硅层和氮化硅层，二氧化硅层和氮化硅层上开设有应力释放区；n型碳化硅衬底层的底部经刻蚀形成压力腔体，压力腔体正上方区域的p型碳化硅隔离层和n型碳化硅衬底层构成压力敏感膜片，应力释放区设置在压力敏感膜片的上表面，以解决低应力高温压力传感器芯片可靠性低的问题压力仪表。
天眼查资料显示，沈阳仪表科学研究院有限公司，成立于2000年，位于沈阳市，是一家以从事其他制造业为主的企业压力仪表。企业注册资本25070万人民币。通过天眼查大数据分析，沈阳仪表科学研究院有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目493次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息625条，此外企业还拥有行政许可69个。
来源：金融界